Разработчики Intel и Micron сообщили о запуске опытных экземпляров кристалла 3D NAND на 1Тбит для массовых продаж. Реализовать значимые показатели в проектной ёмкости получилось за счёт нововведений в типе ячеек, способных сохранять по 4 бита – QLC 4 bits/sell. Благодаря разработке трёхмерной структуры добились оптимизации, что позволило поднять плотность записывания на 33%. Тут и конкурирующие компании признают, что им не с чем выйти рынок в ответ такому инновационному решению – 64-слойной flash-памяти QLC 3D NAND.

Сокращаются расходы на сохранение данных на SSD. В скорейшем времени это по максимуму оценят рядовые потребители и корпоративные заказчики.

Специалисты придерживаются сдержанного оптимизма. Нельзя рассчитывать на быстрый спад цены продукта. Стоит повременить, пока остальные компании предложат фирменные технологии в этом сегменте. У Toshiba и WD в планах к осени 2018 презентовать 96-слойную память. А пока этого не происходит, рынок активно муссирует обсуждение разработки Intel и Micron. Усовершенствованный кристалл отличается не только значительным увеличением ёмкости микросхем, но он стал и более компактным по эргономическим параметрам. Осуществить это позволила технология CMOS under the array (CuA), способствовавшая повышению и производительности.

Стоит учесть, что с увеличением показателя плотности, как на TLC/QLC чипах, снижается их надёжность по сравнению с SLC/MLC чипами. При дальнейшем наращивании слоёв на одну единицу кристалла 3D NAND это выходит с финансовой точки зрения накладно. Переход от 64 слоёв к 96 слоям многократно затягивает процесс выпуска одной кремниевой пластины с чипами 3D NAND.

В нынешнее время наиболее надёжным считается SLC NAND кристалл, получивший наибольший ход в промышленных pata SSD и DOM модулях, где бесперебойная работа гаджетов ставится приоритетней завышенной стоимости.

Авторы разработок не торопятся поведать о всех параметрах своих будущих QLC продуктов. С точностью можно утверждать лишь, что общеизвестны только максимальные показатели скорости чтения, записи для SSD 760 p., в которых планируется применить технологию QLC 3D NAND – 3200/1600 МБ/сек соответственно. Для модели SSD 700 p. указанные показатели достигают отметки 1800/1200МБ/с, а у SSD 660p – 1800/1100МБ/с, что отлично пригодится при облачной рабочей нагрузке с интенсивным чтением и записывании.

Передовые компании не прекращают активность в разработках DRAM элементов, которые нашли широкое применение на серверной оперативной памяти 669322 b21 .